چکیده: در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می گیرد اگر لایه های مجاور با ناخالصی های نوع p آلاییده شده باشند حفره های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می روند و تشکیل گاز حفره ای دو ...